技術的な詳細

• 部品ステータス Active
• FETタイプ P-Channel
• テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 30 V
• 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 200mA (Tc)
• 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V, 4.5V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 100mA, 4.5V
• Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
• Vgs（最大） ±8V
• 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds 34 pF @ 10 V
• FETフィーチャー -
• 最大消費電力 350mW (Ta)
• 動作温度 150°C (TJ)
• グレード -
• 認定 -
• 実装タイプ Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ SOT-323-3A
• パッケージ / ケース SC-70, SOT-323