技術的な詳細

• 部品ステータス Not For New Designs
• FETタイプ P-Channel
• テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 20 V
• 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 700mA (Ta)
• 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V, 4.5V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 400mA, 4.5V
• Vgs(th) (Max) @ Id -
• Vgs（最大） ±12V
• 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds 180 pF @ 10 V
• FETフィーチャー -
• 最大消費電力 500mW (Ta)
• 動作温度 150°C (TJ)
• グレード -
• 認定 -
• 実装タイプ Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23
• パッケージ / ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3