- 製品型番 K4B4G1646E-BYK000
- ブランド Samsung Semiconductor, Inc.
- RoHS Yes
- 説明 DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
- 分類 メモリ
在庫:1500
技術的な詳細
- 部品ステータス Active
- ディギキー・プログラマブル Not Verified
- メモリタイプ Volatile
- メモリフォーマット DRAM
- メモリサイズ 4Gbit
- メモリ構成 256M x 16
- メモリインターフェース Parallel
- クロック周波数 800 MHz
- 電源電圧 1.35V
- 動作温度 0°C ~ 95°C
- 実装タイプ Surface Mount
- パッケージ / ケース 96-TFBGA